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产品介绍

MIC

高速(IAD)真空镀膜设备 MIC-1350

MIC-1350是以SHINCRON长久以来的研究技术为基础,维持高性能,高产量的原则,与以往同型号相比实现了更高的性能价格比。

优点

系统构成

基片伞架 Φ1200mm伞架
光学式膜厚计 OPM-Z1
水晶式膜厚计 XTC/3S
控制系统 SDC-1
蒸发源 电子枪(1or2式)
坩埚 Φ35 30个/φ40 30个
离子源 NIS-175

设备性能

排气时间 达到2×10-2Pa不超过10分钟(在基片温度250℃、清洗、无负荷的条件下)
极限真空压 5×10-5Pa以下(在室温、清洗、无负荷的条件下)
基片温度分布 250±10℃
单层膜厚分布 Δnd<±1.0%(Φ1200mm伞架上18个)

安装条件

所需电力 3相200V±10% 97kW(50 / 60 Hz) A种接地
所需冷却水 87L/min
所需压缩空气 0.5〜0.7MPaG
安装面积 W3900mm×D7700mm×H2800mm(含维修空间)
总重量 约6500kg

有关MIC-1350的咨询

※产品规格如因提高性能之需而变更,恕不提前通知。详情请向本公司营业人员咨询。