株式会社シンクロン > 製品情報 > 製品一覧 > MIC-1350

製品情報

MIC

高速(IAD)真空薄膜形成装置 MIC-1350

MIC1350は当社がこれまでに培ってきた技術をベースに高性能、高量産性はそのままに、従来機種よりもコストパフォーマンスの向上を実現しました。

特徴

システム構成

基板ドーム Φ1200mmドーム
光学式膜厚計 OPM-Z1
水晶式膜厚計 XTC/3S
制御システム SDC-1
蒸発源 電子銃(1or2式)
ハース Φ35 30点/Φ40 30点
イオン源 NIS-175

装置性能

排気時間 排気特性2×10-2Paまで10分(基板温度250℃、洗浄・無負荷条件)
到達真空圧 5×10-5Pa以下(室温、洗浄・無負荷条件)
基板温度分布 250±10℃
単層膜厚分布 Δnd<±1.0%以内(Φ1200mmドーム上18点)

設置条件

所要電力 3相200V±10% 97kW(50 / 60 Hz) A種接地
所要冷却水 約87L/min
所要圧縮空気 0.5〜0.7MPaG
据付面積 W3900mm×D7700mm×H2800mm(メンテナンス領域含む)
総質量 約6500kg

MIC-1350に関するお問い合わせはこちら

※製品の仕様は、性能向上のため予告なく変更されることがございます。
詳しくは、当社営業スタッフまでお問い合わせください。