半導体、電子市場向けクラスター型枚葉スパッタリング装置

半導体・電子市場に適したC to C対応クラスター型枚葉スパッタリング成膜装置

用途:
電子、電気の制御

特徴

  1. 高温加熱スパッタによる
    結晶性薄膜の形成
  2. バイアススパッタ技術による
    成膜コントロール
    (応力制御・段差被覆性向上/埋め込み成膜等)
  3. クラスタープラットフォームによる
    多目的対応/高スループット化

主な用途

  • 高周波フィルター・MEMSに関連する機能性薄膜の形成
  • 結晶配向膜
    圧電(ピエゾ)材料 / 光学機能材料 / 金属電極 他
  • バイアススパッタリング
    段差被覆・埋込み成膜 / 低ラフネス / 高密度 / 応力制御

仕様概要

ロードロックチャンバ ・ウエハカセットステーション
搬送チャンバ ・真空ウエハ搬送ロボット
・アライナ
スパッタチャンバ
(標準4チャンバ接続)
・円形全面エロージョンカソード(Φ8inch ターゲット)
・スパッタダウン方式
・ウエハ加熱機構(~600℃)
・基板バイアス機構
・スパッタ用電源 RF(13.56MHz)-2.0kW / DC 4.0kW
・バイアス用電源 RF(13.56MHz) / DC
※ RF重畳DC可
・排気系: 14inch TMP x 1 極低温トラップ, ドライポンプ
・到達真空度 < 2.0×10-5
・SEMI/GEM準拠インターフェース
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