半導体、電子市場向けクラスター型枚葉スパッタリング装置
半導体・電子市場に適したC to C対応クラスター型枚葉スパッタリング成膜装置
- 用途：
- 電子、電気の制御
特徴
- 高温加熱スパッタによる
結晶性薄膜の形成 - バイアススパッタ技術による
成膜コントロール
（応力制御・段差被覆性向上/埋め込み成膜等） - クラスタープラットフォームによる
多目的対応/高スループット化
主な用途
- 高周波フィルター・MEMSに関連する機能性薄膜の形成
- 結晶配向膜
圧電(ピエゾ)材料 / 光学機能材料 / 金属電極 他 - バイアススパッタリング
段差被覆・埋込み成膜 / 低ラフネス / 高密度 / 応力制御
仕様概要
| ロードロックチャンバ | ・ウエハカセットステーション |
|---|---|
| 搬送チャンバ | ・真空ウエハ搬送ロボット ・アライナ |
| スパッタチャンバ （標準4チャンバ接続） |
・円形全面エロージョンカソード（Φ8inch ターゲット） ・スパッタダウン方式 |
| ・ウエハ加熱機構(～600℃) ・基板バイアス機構 |
|
| ・スパッタ用電源 RF(13.56MHz)-2.0kW / DC 4.0kW ・バイアス用電源 RF(13.56MHz) / DC ※ RF重畳DC可 |
|
| ・排気系： 14inch TMP x 1 極低温トラップ, ドライポンプ ・到達真空度 < 2.0×10-5 |
|
| ・SEMI/GEM準拠インターフェース |
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営業部
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