SHINCRON品牌

SHINCRON凭借先进的技术实力，为蒸镀和溅射两种工艺的发展做出了贡献。未来也将继续开发最符合客户需求的产品，开创薄膜形成的下一个未来。

不断拓展真空薄膜潜力的SHINCRON

IAD

Ion‐beam Assisted Deposition

离子束辅助沉积

真空蒸镀法是利用蒸发现象成膜的方法。一个蒸镀分子所具备的能量很低，为0.1-0.4 eV左右，可能导致附着力和薄膜质量方面的问题。
IAD法是一种通过用离子照射基片上蒸镀形成的薄膜从而赋予能量的方法。IAD法改善了附着力和薄膜质量，实现了具有良好耐候性的高密度电介质薄膜成膜。
我们在全球率先开发并销售采用IAD法进行批量生产的真空蒸镀设备，直到今天许多客户仍在使用我们的产品。

RAS

Radical Assisted Sputtering

自由基辅助溅射

传统的溅射工艺存在以下问题，被认为不适合用于大规模的电介质薄膜生产。
① 异常放电对靶材和基片的损伤
② 阳极消失所致的工艺不稳定
③ 成膜速度
RAS通过将溅射工序与反应工序分离，解决了这些问题。这可谓在反应性溅射形成电介质薄膜方面取得了革命性进展。使得以溅射技术大规模生产电介质薄膜成为可能，从而应用于生产智能手机等为物联网提供支持的各种产品。