多腔式单晶片溅射镀膜设备
面向半导体、电子元件、PIC市场的 多腔式单晶片溅射镀膜设备
- 用途：
- 电子、电气的控制
特点
- 可通过低温工艺实现高精度的 结晶薄膜
- 可根据成膜条件和材料，灵活调整阴极位置和角度，实现最佳成膜效果
- 具备C to C功能的多腔型设备，可实现高效的批量生产
主要用途
- 高频滤波器、MEMS相关的 功能性薄膜
- 晶体取向膜
压电（piezo）材料/光学功能材料/金属电极等 - PIC器件相关薄膜
※低粗糙度、高精度结晶薄膜及高取向薄膜
规格概要
| 装载锁定腔室 | ・晶圆盒平台 |
|---|---|
| 搬送腔室 | ・真空晶圆输送机器人 |
| 溅射腔室 （标准4腔室连接） |
・圆形全面刻蚀阴极（⌀ 8inch 靶） ・溅射沉积向下方式 |
| ・晶圆加热机构(～600℃) ・基片偏压机构 |
|
| ・溅射用电源RF(13.56MHz)-2.0kW ・偏压用电源RF(13.56MHz) / DC ※RF可重叠DC |
|
| ・排气系统：TMP x极低温冷阱、干泵 ・极限真空度< 2.0×10-5 |
|
| ・SEMI/GEM标准界面 |
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