クラスタ型枚葉スパッタリング装置
半導体、電子部品、PIC市場向け クラスタ型枚葉スパッタリング装置
- 用途：
- 電子、電気の制御
特徴
- 高精度な結晶性薄膜の成膜が 低温プロセスで可能
- 成膜条件や材料に応じた最適なカソード位置・角度での成膜が可能
- C to C機能を備えたクラスターツールによる効率的な大量生産
主な用途
- 高周波フィルター・MEMSに関連する機能性薄膜の形成
- 結晶配向膜
圧電(ピエゾ)材料 / 光学機能材料 / 金属電極 他 - PICデバイスに関連する薄膜の形成
※低ラフネス、高精度な結晶性薄膜、高配向な薄膜の形成
仕様概要
| ロードロックチャンバ | ・ウエハ受け渡しステージ |
|---|---|
| 搬送チャンバ | ・真空ウエハ搬送ロボット |
| スパッタチャンバ （標準4チャンバ接続） |
・円形全面エロージョンカソード（Φ8inch ターゲット） ・スパッタダウン方式 |
| ・ウエハ加熱機構(～600℃) ・基板バイアス機構 |
|
| ・スパッタ用電源 RF(13.56MHz)/ DC ・バイアス用電源 RF(13.56MHz) / DC ※ RF重畳DC可 |
|
| ・排気系：TMP x 1 極低温トラップ、ドライポンプ ・到達真空度 < 2.0×10-5 |
|
| ・SEMI/GEM準拠インターフェース |
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営業部
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