半導体、電子市場向けクラスター型RAS方式成膜装置
半導体・電子市場に適したC to C対応クラスター型RAS方式成膜装置
- 用途：
- 電子、電気の制御
特徴
- ロードロック構造により
高スループットで
誘電体成膜を実現 - バイアスによる
段差埋め込みが可能 - ウエハ処理に適した
C to C搬送 - 8inch基板への
全面成膜も可能
協力：千葉大学 橋本教授
主な用途
- SiO2 段差埋め込み成膜
- TC（Temperature Compensated）
-SAW 温度補償膜 - 高密度・低ラフネス 全面 成膜
- ウエハ接合
- SiO2, SiN 各種パッシベーション膜 - 誘電体多層膜
- SMR（Solid Mounted Resonator）用 音響多層膜
- LED, LD(Laser Diode)用 光学薄膜
仕様概要
| ロードロックチャンバ | ・ウエハカセットステーション |
|---|---|
| 搬送チャンバ | ・真空ウエハ搬送ロボット ・アライナ |
| スパッタチャンバ （Max2チャンバ接続可） |
・Dual cathode (Φ12inch) |
| ・ICP プラズマ源 ・基板バイアス機構 |
|
| ・回転基板ステージ (Φ6inch x 25pcs. , Φ8inch x 20pcs.) | |
| ・排気系： 14inch TMP x 2, 極低温トラップ, ドライポンプ | |
| ・SEMI/GEM準拠インターフェース |
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営業部
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