誘電体多層膜用ロードロック式スパッタ装置

誘電体多層膜を主とした電子デバイス市場向けに高機能化

用途:
電子、電気の制御

当社RAS方式を電子デバイス向けに発展さ せ、高機能化しました。
高周波デバイスの高機能化/高周波化要求に対応しました。

特徴

  1. TC(Temperature Compensated)-SAW に必要な温度補償膜のデファクトスタンダード装置
  2. 更なる高周波化に向けSMR(Solid Mounted Resonator)の音響反射器用薄膜形成装置としても期待されています

協力:千葉大学 橋本教授

仕様概要

型式 SLS-18 SLS-27
基板ドラムサイズ Φ1100mm×230mm Φ900mm×400mm
ラジカル源 ICP RF電源
スパッタ源 Dual cathode・18”×5”Planer cathode Dual cathode・27”×5”Planer cathode
排気システム 【CH-1】あらびきユニット
【CH-2】14インチTMP×2
マイスナトラップ
あらびきユニット
【CH-1】あらびきユニット
【CH-2】14インチTMP×4
マイスナトラップ
あらびきユニット
オプション OPM-Z1/Rotary cathode/CH-1ターゲット/Bias機構/SEMI/GEM準拠インターフェース
お問い合わせ
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